SRAM存儲(chǔ)器卡，容量：1M字節(jié)。
尺寸：45*42.8*3.3mm
重量：15g。
支持SD存儲(chǔ)卡。
高速通用型QCPU支持SD存儲(chǔ)卡，
從而能夠與有SD存儲(chǔ)卡插口的PC之間輕松地實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)交換Q20UDEHCPU編程指南手冊(cè)。
另外、可同時(shí)使用SD存儲(chǔ)卡和擴(kuò)展SRAM卡。
因此，可利用擴(kuò)展SRAM卡擴(kuò)展文件寄存器，
可利用SD存儲(chǔ)卡同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)文件記錄、大量注釋數(shù)據(jù)保存、通過(guò)存儲(chǔ)卡進(jìn)行引導(dǎo)運(yùn)行Q20UDEHCPU
更好的用戶體驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄功能。
記錄方便，無(wú)需程序。
只需通過(guò)專門的配置工具向?qū)лp松完成設(shè)置，
便可將收集的數(shù)據(jù)以CSV格式保存到SD存儲(chǔ)卡。
可有效利用已保存的CSV文件方便地創(chuàng)建各種參考資料，
包括日常報(bào)告、生成報(bào)表及一般報(bào)告。
這些資料可應(yīng)用于啟動(dòng)時(shí)的數(shù)據(jù)分析、追溯等Q20UDEHCPU編程指南手冊(cè)。
毫無(wú)遺漏地記錄控制數(shù)據(jù)的變動(dòng)
可在每次順序掃描期間或者在毫秒時(shí)間間隔內(nèi)收集數(shù)據(jù)，
毫無(wú)遺漏地記錄指定的控制數(shù)據(jù)的變動(dòng)。
因此，在發(fā)生故障時(shí)，可快速確定原因，進(jìn)行精確的動(dòng)作分析。輸入電壓范圍：AC100-120V。
輸出電壓：DC5V。
輸出電源：6A。
簡(jiǎn)化程序調(diào)試。
可使用帶執(zhí)行條件的軟元件測(cè)試功能，在程序上的任意步，
將軟元件值更改為用戶指定值。
以往在調(diào)試特定回路程序段時(shí)，需要追加設(shè)定軟元件的程序，
而目前通過(guò)使用本功能，無(wú)需更改程序，即可使特定的回路程序段單獨(dú)執(zhí)行動(dòng)作。
因此，不需要單獨(dú)為了調(diào)試而更改程序，調(diào)試操作更簡(jiǎn)單。
通過(guò)軟元件擴(kuò)展，數(shù)據(jù)Q20UDEHCPU編程指南手冊(cè)。
將程序和參數(shù)文件自動(dòng)保存到無(wú)需使用備份電池的程序存儲(chǔ)器（Flash ROM）中，
以防因忘記更換電池而導(dǎo)致程序和參數(shù)丟失。
此外，還可將軟元件數(shù)據(jù)等重要數(shù)據(jù)備份到標(biāo)準(zhǔn)ROM，
以避免在長(zhǎng)假期間等計(jì)劃性停機(jī)時(shí)，
這些數(shù)據(jù)因電池電量耗盡而丟失。
下次打開電源時(shí)，備份的數(shù)據(jù)將自動(dòng)恢復(fù)。通用型Q系列CPU用存儲(chǔ)卡保護(hù)置。
Q3MEM-4MBS-SET/Q3MEM-8MBS-SET捆綁產(chǎn)品。用于32點(diǎn)I/O。0.5平方毫米(AWG20)。輸入：8通道。
30kpps/10kpps/1kpps/100pps/50pps/10ppps/1pps/0.1ppsQ20UDEHCPU手冊(cè)。
計(jì)數(shù)器輸入信號(hào)：DC5/12-24V。
該該模塊適用于速度、轉(zhuǎn)速、瞬時(shí)流量等輸入脈沖數(shù)的測(cè)量，
以及數(shù)量、長(zhǎng)度、累計(jì)流量等的測(cè)量Q20UDEHCPU手冊(cè)。
輸入脈沖值每隔10ms更新。
可使累計(jì)計(jì)數(shù)值和進(jìn)行移動(dòng)平均處理等后的脈沖數(shù)（采樣脈沖數(shù)）按照計(jì)數(shù)周期設(shè)置進(jìn)行更新。