輸入輸出點(diǎn)數(shù)：512點(diǎn)。
輸入輸出數(shù)據(jù)設(shè)備點(diǎn)數(shù):8192點(diǎn)。
程序容量：28k。
基本命令處理速度(LD命令)：0.075μS。
PLC在程序執(zhí)行階段：按用戶程序指令存放的先后順序掃描執(zhí)行每條指令，
經(jīng)相應(yīng)的運(yùn)算和處理后，其結(jié)果再寫入輸出狀態(tài)寄存器中，
輸出狀態(tài)寄存器中所有的內(nèi)容隨著程序的執(zhí)行而改變Q173HCPU
輸出刷新階段：當(dāng)所有指令執(zhí)行完畢，
輸出狀態(tài)寄存器的通斷狀態(tài)在輸出刷新階段送至輸出鎖存器中，
并通過(guò)一定的方式(繼電器、晶體管或晶間管)輸出，驅(qū)動(dòng)相應(yīng)輸出設(shè)備工作。輸入電壓范圍：DC24V。
輸出電壓：DC5V。
輸出電源：8.5A。
簡(jiǎn)化程序調(diào)試
可使用帶執(zhí)行條件的軟元件測(cè)試功能，在程序上的任意步，
將軟元件值更改為用戶指定值。
以往在調(diào)試特定回路程序段時(shí)，需要追加設(shè)定軟元件的程序，
而目前通過(guò)使用本功能，無(wú)需更改程序，即可使特定的回路程序段單獨(dú)執(zhí)行動(dòng)作。
因此，不需要單獨(dú)為了調(diào)試而更改程序，調(diào)試操作更簡(jiǎn)單。
自動(dòng)備份關(guān)鍵數(shù)據(jù)
將程序和參數(shù)文件自動(dòng)保存到無(wú)需使用備份電池的程序存儲(chǔ)器（Flash ROM）中，
以防因忘記更換電池而導(dǎo)致程序和參數(shù)丟失。
此外，還可將軟元件數(shù)據(jù)等重要數(shù)據(jù)備份到標(biāo)準(zhǔn)ROM，
以避免在長(zhǎng)假期間等計(jì)劃性停機(jī)時(shí)，
這些數(shù)據(jù)因電池電量耗盡而丟失。
下次打開(kāi)電源時(shí)，備份的數(shù)據(jù)將自動(dòng)恢復(fù)。
通過(guò)軟元件擴(kuò)展，更方便創(chuàng)建程序。
位軟元件的M軟元件和B軟元件最多可擴(kuò)展到60K點(diǎn)，使程序更容易理解。SRAM存儲(chǔ)卡。
RAM容量：1MB。輸入：4通道。
熱電偶(K、J、T、B、S、E、R、N、U、L、PLlI、W5Re/W26Re)。
無(wú)加熱器斷線檢測(cè)功能。
采樣周期：0.5s/4通道。
18點(diǎn)端子臺(tái)。
可靈活進(jìn)行各種設(shè)置，實(shí)現(xiàn)最佳溫度控制的溫度調(diào)節(jié)模塊。
針對(duì)擠壓成型機(jī)等溫度控制穩(wěn)定性要求高的設(shè)備，
溫度調(diào)節(jié)模塊具有防過(guò)熱和防過(guò)冷的功能。
可根據(jù)控制對(duì)象設(shè)備，選擇標(biāo)準(zhǔn)控制（加熱或冷卻）或加熱冷卻控制（加熱和冷卻）模式。
此外，也可選擇混合控制模式（結(jié)合了標(biāo)準(zhǔn)控制和加熱-冷卻控制）。
尖峰電流抑制功能。
可防止同時(shí)打開(kāi)輸出以控制尖峰電流，有助于節(jié)能及降低低運(yùn)行成本。
同時(shí)升溫功能。
使多個(gè)回路同時(shí)達(dá)到設(shè)置值，以進(jìn)行均勻的溫度控制，
有助于防止空載并有效效節(jié)能及降低運(yùn)行成本。
自動(dòng)調(diào)整功能。
可在控制過(guò)程中自動(dòng)調(diào)節(jié)PID常數(shù)。
可降低自動(dòng)調(diào)整成本（時(shí)間、材料和電能）。SRAM+E2PROM存儲(chǔ)卡。
RAM容量：512KB。
E2PROM容量：512KB。