測(cè)量項(xiàng)目：漏電流（Io）、阻性漏電流（Ior）。
測(cè)量電路數(shù)：2個(gè)電路。
測(cè)量泄漏電流的絕緣監(jiān)視模塊。
可對(duì)漏電流進(jìn)行測(cè)量，以確保安全通過監(jiān)視漏電流（Io），可檢測(cè)出觸電危險(xiǎn)。
可連續(xù)不間斷地監(jiān)視設(shè)備的絕緣狀態(tài) 測(cè)量阻性漏電流（Ior），
以便不間斷地監(jiān)視設(shè)備的絕緣老化狀況。
可對(duì)每個(gè)測(cè)量項(xiàng)目進(jìn)行2階段的報(bào)警監(jiān)視可分別對(duì)漏電流（ Io）、阻性漏電流（Ior）進(jìn)行2階段的報(bào)警監(jiān)視，
無需梯形圖程序Q10UDEHCPU報(bào)警監(jiān)視分為注意報(bào)警和危險(xiǎn)報(bào)警2階段。
一個(gè)模塊可測(cè)量?jī)蓚€(gè)電路 一個(gè)模塊可對(duì)同一系統(tǒng)中相同相線式電源的兩個(gè)電路進(jìn)行測(cè)量。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版或更高版本），輕松地設(shè)置參數(shù)。
［測(cè)量項(xiàng)目］漏電流（ Io）、阻性漏電流（ Ior）。輸入：2通道。
500/200/100/10kpps。
計(jì)數(shù)器輸入信號(hào)：EIA規(guī)格RS-422A(差動(dòng)線性驅(qū)動(dòng)器)。
外部輸入：DC5/12/24V。
統(tǒng)一輸出：晶體管(漏型)。
DC12/24V。
0.5A/點(diǎn)。
2A公共端。
40針連接器。
支持高分辨率設(shè)備。滿足高速高精度控制應(yīng)用的脈沖輸入、高速計(jì)數(shù)器模塊產(chǎn)品群。
對(duì)高速脈沖串進(jìn)行計(jì)數(shù)的高速計(jì)數(shù)器模塊。
可與外部編碼器組合使用進(jìn)行定位等控制。
可切換最高計(jì)數(shù)速度，對(duì)從高速脈沖到上升沿/下降沿平緩的低頻脈沖進(jìn)行計(jì)數(shù)。
每個(gè)1通道配備2點(diǎn)的外部一致輸出。
可根據(jù)用途選擇“一致輸出功能”、“連續(xù)比較功能”，實(shí)現(xiàn)外部設(shè)備的高速控制。（QD64D2）
提供多種功能，例如一致輸出測(cè)試功能（使用連續(xù)比較功能時(shí)）、預(yù)設(shè)功能、鎖存計(jì)數(shù)器功能，
以滿足各種應(yīng)用需求。（ QD64D2）
輸入脈沖的最高計(jì)數(shù)速度可達(dá)8Mpps （差分輸入、2相4倍頻時(shí)）。
可在半導(dǎo)體、液晶制造等對(duì)位置精度要求高的設(shè)備中，
使用高分辨率編碼器執(zhí)行精確的位置跟蹤。（ QD65PD2）SRAM存儲(chǔ)器卡，容量：4M字節(jié)。
尺寸：74*42.8*8.1mm
重量：15g。
支持SD存儲(chǔ)卡。
高速通用型QCPU支持SD存儲(chǔ)卡，
從而能夠與有SD存儲(chǔ)卡插口的PC之間輕松地實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)交換。
另外、可同時(shí)使用SD存儲(chǔ)卡和擴(kuò)展SRAM卡。
因此，可利用擴(kuò)展SRAM卡擴(kuò)展文件寄存器，
可利用SD存儲(chǔ)卡同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)文件記錄、大量注釋數(shù)據(jù)保存、通過存儲(chǔ)卡進(jìn)行引導(dǎo)運(yùn)行。
更好的用戶體驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄功能。
記錄方便，無需程序。
只需通過專門的配置工具向?qū)лp松完成設(shè)置，
便可將收集的數(shù)據(jù)以CSV格式保存到SD存儲(chǔ)卡。
可有效利用用已保存的CSV文件方便地創(chuàng)建各種參考資料，
包括日常報(bào)告、生成報(bào)表及一般報(bào)告。
這些資料可應(yīng)用于啟啟動(dòng)時(shí)的數(shù)據(jù)分析、追溯等。
毫無遺漏地記錄控制數(shù)據(jù)的變動(dòng)
可在每次順序掃描期間或者在毫秒時(shí)間間隔內(nèi)收集數(shù)據(jù)，
毫無遺漏地記錄指定的控制數(shù)據(jù)的變動(dòng)。
因此，在發(fā)生故障時(shí)，可快速確定原因，進(jìn)行精確的動(dòng)作分析。