SRAM+E2PROM存儲卡。
RAM容量：512KB。
E2PROM容量：512KB。輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
輸入輸出元件數(shù)：8192點(diǎn)。
程序容量：26 k步Q06UDHCPU編程指南手冊。
處理速度：79ns。
程序存儲器容量：144 KB。
內(nèi)置RS232通信口。
支持安裝記憶卡Q06UDHCPU
僅用于A模式。
提升基本性能。
CPU的內(nèi)置軟元件存儲器容量增加到最多60K字。
對增大的控制、質(zhì)量管理數(shù)據(jù)也可高速處理。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程Q06UDHCPU編程指南手冊。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。輸入：4通道。
熱電偶(K、J、T、B、S、E、R、N、U、L、PLlI、W5Re/W26Re) 。
無加熱器斷線檢測功能。
采樣周期：0.5s/4 通道。
18點(diǎn)端子Q06UDHCPU編程指南手冊。
使多個(gè)回路同時(shí)達(dá)到設(shè)置值，以進(jìn)行均勻的溫度控制，
有助于防止空載并有效節(jié)能及降低運(yùn)行成本。
自動(dòng)調(diào)整功能。
可在控制過程中自動(dòng)調(diào)節(jié)PID常數(shù)。
可降低自動(dòng)調(diào)整成本（時(shí)間、材料和電能）。
可靈活進(jìn)行各種設(shè)置，實(shí)現(xiàn)最佳溫度控制的溫度調(diào)節(jié)模塊。
針對擠壓成型機(jī)等溫度控制穩(wěn)定性要求高的設(shè)備，
溫度調(diào)節(jié)模塊具有防過熱和防過冷的功能。
可根據(jù)控制對象設(shè)備，選擇標(biāo)準(zhǔn)控制（加熱或冷卻）或加熱冷卻控制（加熱和冷卻）模式。
此外，也可選擇混合控制模式（結(jié)合了標(biāo)準(zhǔn)控制和加熱-冷卻控制）。輸入點(diǎn)數(shù)：32點(diǎn)。
輸入電壓及電流：DC24V　4mA。
應(yīng)答時(shí)間：1/5/10/20/70ms。
32點(diǎn)/1個(gè)公共端。
共陰極。
37針D-sub連接器。
不斷超越，勇攀Q系列巔峰。
強(qiáng)化安全功能。
可設(shè)定最長32字符的文件密碼。
除了英文字母、數(shù)字以外，還可使用特殊字符，
進(jìn)一步增強(qiáng)了密碼的安全性。
此外，僅允許預(yù)先注冊過的設(shè)備訪問CPU，
從而攔截了非授權(quán)用戶的非法訪問。
因此可防止重要程序資產(chǎn)的流出，保護(hù)知識產(chǎn)權(quán)。
通過以太網(wǎng)輕松連接編程工具。
編程工具（GX Works2、GX Developer）和CPU直接連接（ 1對1）時(shí)，
無需進(jìn)行IP地址設(shè)置。而且無需選擇電纜，直通線和交叉線均可使用。
因此，這種連接方法和使用USB一樣，可輕松與CPU進(jìn)行通信，
即使是不熟悉網(wǎng)絡(luò)設(shè)置的操作人員也能輕松建立連接。
具有卓越性能的各種模塊,

滿足從模擬量到定位的各種控制需求Q06UDHCPU手冊。
Q系列模塊產(chǎn)品包括種類豐富的各種I/O、、模擬量和定位功能模塊Q06UDHCPU手冊。
可全面地滿足開關(guān)、傳感器等的輸入輸出，溫度、重量、流量和電機(jī)、驅(qū)動(dòng)器的控制，
以及要求高精度控制的定位等各行業(yè)、各領(lǐng)域的控制需求。
還可與CPU模塊組合使用，實(shí)現(xiàn)恰如其分的控制。